重写科技格局

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    “3d晶体管或许有人熟悉有人陌生，事实上，这早已不是什么新鲜的概念，最早的耗尽型贫沟道晶体管我们在1989年就见到过，之后基于delta技术的多闸极电晶体成为业内一个重要的研究方向。

    像伴英特尔早在2002年就对外宣传他们的3d晶体管设计，大风集团也很早就开始大力投入3d晶体管的研发。

    为什么这么多人盯着这个方向，说白了，就是因为当晶体管的尺寸缩小到25nm以下时，传统的屏幕尺寸却已经无法缩小，那么问题就会出现。

    我们一起来看大屏幕。”

    大屏幕上出现了几张技术分析图，“二维结构晶体管自上世纪60年代开始应用，到现在已使用接近半个时间，然而我们注意到，随着闸极长度越来越小，源极和汲极的距离越来越近，闸极下方的氧化物也越来越薄，从而加剧漏电的可能性。

    同时，原本电子是否能由源极流到汲极是由闸极电压来控制的，但是闸极长度越小，闸极与通道之间的接触面积也越小，也就是闸极对通道的影响力变小了。

    尤其是当闸极长度缩小到 20 纳米以下的时候，这些问题格外明显。

    而当原本的源极和汲极拉高变成立体板状结构时，源极和汲极之间的通道变成了板状，闸极与通道之间的接触面积一下子就变大了。

    这样一来即使闸极长度缩小到 20 纳米以下仍然能保留很大的接触面积，仍然可以控制电子是否能由源极流到汲极，可以说，多闸极晶体管的载子通道受到接触各平面的闸极控制，提供了一个在台上负责主讲的人，名叫杨培栋。

    提到3d晶体管，尤其是提到finfet，也就是鳍式场效晶体管，在行业的角度去评价反而显得不是那么违和，而这样的抬举让这一技术突破显得更有意义和价值，现场掌声雷动。

    而此时英特尔的保罗看着直播身体都在发抖，因为这份荣誉，本该属于英特尔。

    世界上第一个从实验室走出来可以市场化的3d晶体管tri-gate是英特尔在2011年5月6日发布的。

    英特尔因此又一次巩固了自己在半导体行业的老大地位，然而这一切都没了，就算英特尔明天发布tri-gate，英特尔也只能是一个老二。

    保罗一时间没有办法接受这个事实，甚至让情报部门出发去调查大风半导体是不是来偷技术了。

    因为英特尔是2002年宣布这个技术方向的，但差不多90年代就开始在考虑这个技术方向了，那个时候大风集团都还没创立。

    保罗这怎么都无法理解也无法相信大风半导体居然后来居上赶在了英特尔的前面把技术成熟化了，应该至少有5年的研发周期差距，理论上来说这不可能。

    其实市场上很多人都有这个疑惑，而最后的结论又是因为大风集团早就确定了这个方向并且专注死磕。

    当工艺还在90nm+的时代，哪怕是英特尔也没有完全确认未来的方向，因为技术都是有两面性的，搞3d晶体管也有问题。

    就比如对模拟或设计人员来说这简直是要了老命了，因为对于采用传统工艺的设计人员来说不得不通过更少变量来实现所需的电气响应。

    这一方面需要工具创新跟上，另一方面极大的提升了设计难度，在整个3d晶体管发展的过程中就一直有人怀疑这个方向是错的，所以继续使用二维晶体管，通过材料革新和二维结构革新也是一个主流方向。

    这就像当初光刻机要不要搞浸没式一样，大家都不确定，大家都是一点点在试，但重生者就很确定了，没办法，英特尔还在犹豫还在彷徨的时候，孟谦已经确定了方向并孤注一掷，又挖到了核心人才，一切就这么发生了。

    此时的英特尔非常低沉，本想着靠这一技术挽回英特尔在移动芯片市场的尴尬局面，通过工艺领先实现芯片性能领先从而抢占移动芯片市场。

    然而英特尔在移动处理器领域做的是真废，可以说曾经的英特尔在这一工艺上足足领先了3年，而且英特尔当时都说了这一工艺推出的主要目的就是奔着移动处理器去的，还在三年内增加了接近50亿米元的投入，可愣就是没把移动处理器给做好。

    而这一世就更不用说了，英特尔这个3年领先优势这会儿都没了，也不知道英特尔能不能想出什么办法来逆天改命。

    不过不管英特尔接下去打算干嘛，市场这会儿可能没这么相信英特尔了，发布会后，市场反应是最真实，当天英国arm股价直接跌了6.5%，英特尔股价大跌8.6%。

    还有隔壁三星直接跌了9.8%。

    ...