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    王岸然无心公司的日常事务，每一项决策都是选择题，虽然有前世的见识，大部分他可以很容易选出最佳的答案。

    不过在人事，销售，团队培养，金融等各方面，他还是小白的存在。

    事实上王岸然前世一直没有企业管理的经验，虽然混上了amd的高层，但也仅仅是技术大拿。

    相比于坐在办公室签字，他起身来，跟桥本龟太郎热情的握了握手。

    这项合作可是花了华芯科技三十四条专利授权，加上1000万美金的技术服务费才达成的。

    价值人民币上亿，贵可能贵了点，不过王岸然认为有价值，这就已经足够了。

    于此同时，浸入式光刻与双工台的研究也开始进入日程，让王岸然苦恼的是，他找不到合适的技术带头人，所以一直无法推进。

    不过另一项与浸入式光刻齐名的finfet生产工艺，王岸然觉的大有可为。

    fin field_effect transistor 鳍式场效应晶体管，相比与mos晶体管而言，这是一款新型的晶体管模式。

    是有华人科学家胡正明教授提出，并建立了系统的数学模型。

    特点是工艺不变的情况下，可以在相同的面积内塞进更多的晶体管，而且漏电量和功耗同步大幅度降低。

    finfet技术在9102年已经相当成熟，他本是intel于2011年第一次推出，用于22纳米制造工艺上的第三代酷睿处理器上，随后大部分的半导体厂家开始加入到finfet工艺阵营当中。

    技术难度比起普通的mos有所提高，工艺上也增加了几十道光、蚀刻、清洗、填塞、气相沉积过程。

    对华芯科技而言，技术难点就是材料的物理气相沉积pdv技术，以及堆叠薄膜镀层保护和蚀刻技术。

    相比沉浸式光刻技术以及双工台技术的难度而言，finfet技术犹如小学生的作业题，在现有的技术条件下就可以完成。

    加上自对准双重成像技术sadp，一旦得到攻克，王岸然有信心在不调整硬件的基础上，实现800纳米制造工艺的突破，并将芯片的集成度达到320纳米制造工艺的程度。

    研究课题的确认，需要理论方面的支持，基于finfet工艺的bsim数学模型有现实的指导意义。

    9102年，如果说一个芯片底层硬件逻辑电路工程师，对bsim不了解，那他肯定是混日子的。

    bsim逻辑电路设计模型在基于finfet工艺中的作用不可替代，王岸然自然不陌生，甚至他可以清晰的记得数学模型中每一个参数的设置。

    不过就这样堂而皇之的拿出来，多有不方便之处。

    为此王岸然专门成立了finfet专用研究实验室，召集了包括季小青、胡正旻、刘赫在内的一大帮华芯科技的基干力量。

    “大家很清楚，我们的制造工艺，比起国际上主流的制造工艺落后了两到三代，比起国外最新的尖端研究，那不知道落后多少代了。

    今天我召集大家来到这里，就是要开展一项finfet工艺的开发，我可以很自豪的告诉大家，在这方面，我们走到了全世界的前列。”

    王岸然的话成功了煽动了大家的热情，对于大多人人来说，对fin并不陌生，关于场鳍效应的论文在国际上并不新鲜。

    可以在这项新的理论模型下，进行实际应用的研究，也是一件令人振奋的事。

    就在王岸然正在埋头进行finfet工艺模型架构的创建之时，一则消息打破了他的平静。

    “王总，德州仪器ceo安德森已经抵达了燕京，他希望就合作事宜，尽快与你进行会面。”

    合作！拿技术来合作啊，华芯科技肯定比你想象中的更有诚意。

    王岸然点点头，对张磊说道：“联系技术部，雷总，明天上午九点开会，这次我们要好好讨论一下，该要点什么？”